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半導體行業(yè)應用:滴定法測定過氧化氫含量

點擊次數(shù):991 發(fā)布時間:2023-12-09

半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用。

 

其中,過氧化氫在半導體行業(yè)起到非常關鍵的作用,常常作為硅片清潔劑,印刷電路板刻蝕劑以及處理金屬雜質(zhì)。

 

本次實驗采用T960全自動滴定儀測定某半導體上游廠家的工業(yè)藥水中過氧化氫的含量,用以驗證電位滴定法檢測工業(yè)藥水中的過氧化氫方法是否可行。

 

實驗方案


儀器與試劑

 

儀器

 

T960全自動滴定儀,復合鉑電極,容量瓶,分析天平等。

 

圖片

試劑


c=0.1mol/L的KMnO4標準滴定液,硫酸溶液(20%),去離子水

 


實驗方法

 

實驗過程

 

用減重稱量法準確稱取1 g試樣(精確至0.0001 g)于滴定杯中,加入50 mL去離子水,再加入10 mL20%的硫酸溶液,放置于滴定臺上,啟動事先編輯好的方法,用高錳酸鉀滴定液進行滴定,同時做空白實驗。

 

儀器參數(shù)如表所示:

 

表1  過氧化氫測定滴定儀參數(shù)設置

 

滴定類型

動態(tài)滴定

方法名

高錳酸鉀滴定過氧化氫

滴定管體積

10 mL

樣品計量單位

g

工作電極

復合鉑電極

參比電極

攪拌速度

7

預攪拌時間

5 s

電極平衡時間

4 s

電極平衡電位

1 mV

滴定速度

標準

滴定前平衡電位

6 mV

每次添加體積

0.02 mL

結束體積

20 mL

電位突躍量

3500

相關系數(shù)

1.701

滴定劑名稱

高錳酸鉀

理論濃度

0.1

 




結果與討論


 

實驗結果

 

樣品經(jīng)測試,得到實驗結果如表2所示:

 

表2 過氧化氫含量測定

樣品名稱

取樣量(g)

c(KMnO4)

/mol/L

滴定樣品體積V1/mL

滴定空白體積V2/mL

過氧化氫含量(%)

平均值(%)

RSD(%)

0

1.7027

0.10502

3.550

0.02

0.3704

0.3696

0.2035

1.5564

3.240

0.3696

1.7120

3.555

0.3689

40

1.25508

2.610

0.3686

0.3642

1.069

1.22858

2.505

0.3613

1.2633

2.584

0.3626

98

1.07280

3.298

0.5458

0.5497

0.6222

1.05984

3.295

0.5520

1.17048

3.633

0.5514

100

1.05133

3.326

0.5617

0.5621

1.025

1.09510

3.432

0.5566

1.06760

3.415

0.5681

150

1.16444

4.170

0.6367

0.6426

0.8119

1.16517

4.225

0.6447

1.23868

4.503

0.6465


滴定圖譜

圖片

樣品150滴定圖譜


?結論


本次測試通過T960全自動滴定儀測定工業(yè)水中過氧化氫含量,數(shù)據(jù)重復性好,而且使用儀器判斷減少了人工誤差,大大提高了實驗的精度。并且可以一機多用,大大節(jié)省了人力物力,因此電位滴定法是該類樣品的不錯選擇。

 


 

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